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张正模;
无;
电子回旋共振; 砷化镓; 离子蚀刻; 损伤;
机译:C掺杂基础lnGaAs / InP DHBT结构的ECR等离子体蚀刻制备:CH↓(4)/ H↓(2)/ Ar与BCl↓(3)/ N↓(2)等离子体蚀刻化学的比较
机译:恢复由干法蚀刻引起的p-GaN表面损伤,以形成p型欧姆接触
机译:考虑从耗尽边缘扩散长度之内的少数载流子,蚀刻引起的表面损伤对器件性能的影响
机译:反应离子蚀刻引起碳化硅的表面损伤
机译:评估撕脱,严重侵入和切牙引起的牙根表面损伤。
机译:InGaAs / GaAs / AlGaAs阶跃量子阱中带间激发的Rashba型和Dresselhaus型圆形光电流效应引起的自旋光电流谱
机译:AlGaAs / InGaAs / GaAs假形象HFET的CH4 / H2 / AR ECR等离子蚀刻
机译:在Cl(sub 2)/ ar,Cl(sub 2)/ N(sub 2),BCl(sub 3)/ ar和BCl(sub 3)/ N(sub)中对Gap,Gaas,Inp和InGaas进行ECR蚀刻2)
机译:去除由于等离子体干法蚀刻而引起的太阳能电池表面损伤的方法以及使用该方法的太阳能电池的制造方法
机译:ECR ECR设备,用于保护重离子加速器的ECR离子源和超离子加速器的ECR离子源的超导磁体
机译:InGaAsP或InGaAs半导体激光元件,其中有源层的近边缘部分被带隙比有源层大的GaAs光波导层代替
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