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机译:反应离子刻蚀对4H-SiC沟道MOSFET的沟道侧壁和底部造成的损伤的光电子纳米光谱
机译:反应离子刻蚀对4H-SiC沟道MOSFET的沟道侧壁和底部造成的损伤的光电子纳米光谱
机译:4H-SiC上的沟道MOSFET
机译:n型4H-SiC沟槽金属氧化物半导体结构中沟槽侧壁电容的提取
机译:反应离子蚀刻诱导的InAlAs / InGaAs异质结构损伤
机译:硅/硅锗化物异质结构的各向异性碳氟化合物等离子体刻蚀和等离子体刻蚀引起的侧壁损伤
机译:4H-SIC双沟MOSFET采用分流异质结闸用于改善开关特性
机译:在现场污水系统中模拟沟槽侧壁和底部流动