机译:间隔层厚度对在GaAs(3 1 1)B衬底上生长的InGaAs / GaNAs量子点垂直排列的影响
Molecular beam epitaxy; Quantum dots; Strain-compensation;
机译:间隔层厚度对在GaAs(3 1 1)B衬底上生长的InGaAs / GaNAs量子点垂直排列的影响
机译:间隔层厚度对在GaAs(311)B衬底上生长的多层InGaAs量子点的影响,该量子点将应用于中带太阳能电池
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机译:InGaAs插入层的分子内分数对(100)GaAs衬底上生长的GaSb量子点的结构和光学性质的影响
机译:基于在结构化衬底上生长的低阈值应变InGaAs / GaAs量子阱激光器的光电器件
机译:硅衬底上直接生长的InAs / InGaAs / GaAs量子点太阳能电池
机译:InGaAs插入层的内部分数对(001)GaAs衬底生长的GASB量子点的结构和光学性质的影响
机译:通过分子束外延在Gaas衬底上的Inalas缓冲层上生长的InGaas / alGaas子带间跃迁结构