机译:间隔层厚度对在GaAs(311)B衬底上生长的多层InGaAs量子点的影响,该量子点将应用于中带太阳能电池
Research Center for Advanced Science and Technology (RCAST), The University of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-ku, Tokyo 153-8904, Japan;
机译:间隔层厚度对在GaAs(311)B衬底上生长的多层InGaAs量子点的影响,该量子点将应用于中带太阳能电池
机译:GaAs(311)B衬底上制造的多堆叠InGaAs / GaNAs量子点太阳能电池的光学特性
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机译:在GaAs(311)B衬底上制造的多层InGaAs / GaNAs量子点太阳能电池
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机译:朝向直接在si衬底上生长的Inas / InGaas / Gaas量子点太阳能电池