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机译:使用计算机仿真研究新的改进的源极/漏极以减小纳米级MOSFET中的自热效应
self-heating; silicon-on-insulator (SOT); MOSFET; capacitance; temperature distribution; two-dimensional (2-D) simulation;
机译:使用计算机仿真研究新的改进的源极/漏极以减小纳米级MOSFET中的自热效应
机译:考虑自发热和源/漏电阻影响的全耗尽SOI MOSFET分析模型
机译:平面双栅极MOSFET中栅极失准引起的源极/漏极不对称效应的研究
机译:源/漏工程纳米级双栅极(DG)SOI MOSFET中短通道效应的紧凑模型
机译:用于纳米级MOSFET应用的栅极和源极/漏极工程。
机译:验证模型以研究改变心血管疾病(CVD)危险因素对CVD负担的影响:鹿特丹缺血性心脏病和中风计算机模拟(RISC)模型
机译:具有电致源/漏极延伸的纳米级sOI-mOsFET: 抑制短信道的新属性和设计考虑因素 效果