University of California, Los Angeles.;
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机译:用于低压模拟应用的纳米级双栅MOSFET中的源/漏极扩展区域工程
机译:具有再生源极-漏极区和ALD介电层的最后栅极铟镓砷MOSFET。
机译:具有位置载流子散射相关性的准弹道漏电流电荷和电容模型对纳米级对称DG MOSFET有效
机译:具有纳米级双门SOI MOSFET的6-T SRAM单元设计:源/排水工程和电路拓扑的影响