机译:氮化时间对氮化Ga2O3 / ZnO薄膜合成的GaN纳米棒形貌的影响
GaN nanorods; Ga2O3/ZnO films; RF magnetron sputtering; nitridation; OPTICAL-PROPERTIES; LASER-DIODES; ZNO; SUBSTRATE; NANOWIRES; LAYER;
机译:氮化时间对氮化Ga2O3 / ZnO薄膜合成的GaN纳米棒形貌的影响
机译:Ga2O3 / ZnO薄膜氨化合成GaN纳米棒
机译:ZnO种子层前驱体摩尔比对低温水性化学合成ZnO纳米棒/ GaN发光二极管界面缺陷密度的影响
机译:生长时间对水热合成的TiO_2纳米杆薄膜结构,形态和光学性能的影响
机译:通过自组装和定向组装控制功能复合薄膜中ZnO纳米棒的取向和空间。
机译:使用GaN缓冲层在透明导电(2̅01)取向的β-Ga2O3上形成高质量的III氮化物膜
机译:使用GaN缓冲层在透明,导电(2̅01)取向的β-Ga2O3上形成高质量的III氮化物膜