退火温度和ZnO缓冲层对氨化Ga2O3/ZnO薄膜合成GaN纳米结构的影响

王书运; 庄惠照; 高海永

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利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上先溅射ZnO缓冲层,再溅射Ga2O3薄膜,然后在开管炉中不同温度下通氨气进行氨化反应生长GaN薄膜.分析结果表明,利用该方法制备的GaN薄膜是六角纤锌矿多晶结构,并且随着氨化温度的升高,GaN薄膜向棒状和线状形态转变.同时分析了ZnO缓冲层对形成GaN纳米结构的影响.

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来源
《材料科学与工程学报》|2006年第4期|568-570,591|共4页
作者
王书运; 庄惠照; 高海永;
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作者单位

山东师范大学物理与电子科学学院,山东,济南,250014;

山东师范大学物理与电子科学学院,山东,济南,250014;

山东师范大学物理与电子科学学院,山东,济南,250014;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.2+3;
关键词
射频磁控溅射; GaN薄膜; ZnO缓冲层; 氨化反应;
入库时间 2022-08-17 16:23:11

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