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机译:AlxGa1-xN / GaN / AlyGa1-yN阶跃量子阱中子带间跃迁的理论研究
quantum wells; semiconductors; intersubband transitions; RAY PHOTOEMISSION SPECTROSCOPY; PIEZOELECTRIC POLARIZATION; MU-M; NONPARABOLICITY; ABSORPTION; ALGAN/GAN; GAN; DEVICES; DESIGN; RANGE;
机译:AlxGa1-xN / GaN / AlyGa1-yN阶跃量子阱中子带间跃迁的理论研究
机译:左阱宽度对AlxGa1-xN / GaN双量子阱中子带间跃迁的影响
机译:施加电场的对称AlxGa1-xN / GaN双量子阱中的子带间跃迁
机译:GaN / Alxga1-XN多量子阱中的间隙过渡
机译:氮化铝镓/氮化镓量子阱的分子束外延生长以及激子和子带间跃迁的研究。
机译:GaN / InGaN多量子阱中的子带间跃迁
机译:通过MOVPE在Si(111)和Si(110)衬底上生长的GaN / AlaN的IntersubBand吸收量甘蓝孔的吸收