机译:通过MOVPE在Si(111)和Si(110)衬底上生长的GaN / AlaN的IntersubBand吸收量甘蓝孔的吸收
机译:MOVPE在Si(111)和Si(110)衬底上生长的GaN / AlCaN阶跃量子阱的太赫兹带间吸收
机译:掺杂对Si(111)模板上生长的GaN / AlGaN超晶格中红外波段间吸收的影响
机译:GaN / AlGaN阶梯量子阱中的太赫兹子带间跃迁
机译:通过选择性MOVPE在(111)Si底物上生长的AlGaN / GaN金字塔的AlGaN覆盖层中的组成不均匀性
机译:用于AlGaN / GaN和InAlN / GaN二极管以及在硅(111)衬底上生长的高迁移率晶体管的CMOS兼容氧化钌肖特基接触的研究。
机译:通过金属有机化学气相沉积法生长具有不同夹层的高Al含量AlxGa1-xN / GaN多量子阱的子带间吸收特性
机译:通过金属有机化学气相沉积法生长具有不同夹层的高Al含量AlGaN / GaN多量子阱的子带间吸收特性