机译:本征和N掺杂4H-SiC中的堆叠缺陷:N掺杂对其多重性的真实影响
double stacking fault; nitrogen; quantum well action; Si-C;
机译:本征和N掺杂4H-SiC中的堆叠缺陷:N掺杂对其多重性的真实影响
机译:基面位错结构对4H-SiC p-i-n二极管正向电流退化中单个肖克利型堆叠故障扩展的影响
机译:内生堆叠故障对载流子寿命长的4H-SiC pin二极管电学特性的影响
机译:(11-20)高N掺杂4H-SiC的机械应力引起的双堆垛层错研究,结合光学显微镜,TEM,对比模拟和位错核重构
机译:Mg和Mg合金堆垛层错和长周期堆垛有序结构的第一性原理研究
机译:基于密度泛函理论的稀铝钼对FeNiCoCr基高熵合金堆垛层错和孪晶形成的影响
机译:N掺杂的4H-SiC在脆性状态下的弯曲会产生缺陷:堆垛层错多重位错堆芯。