机译:利用Si衬底上的Nb_5N_6缓冲层制备应变诱导高性能NbN超薄膜
NbN; ultrathin film; buffer layer; straininduced; Si;
机译:利用Si衬底上的Nb_5N_6缓冲层制备应变诱导高性能NbN超薄膜
机译:使用超薄Al_2O_3作为缓冲层调整硅衬底上VO_2薄膜的相变
机译:使用超薄TiO_2缓冲层在MgO(110)衬底上形成单晶VO_2薄膜
机译:衬底和缓冲层对太赫兹HEB NbN超薄膜质量的影响
机译:使用逐层自组装技术制备Keggin型多金属氧酸盐超薄膜和高孔隙度二氧化钛薄膜。
机译:通过屏幕胶印在薄膜基板上同时实现有线面朝上和面朝下的超薄压阻Si芯片的制造
机译:具有TiN缓冲层的si衬底上的外延NbN / alN / NbN隧道结