公开/公告号CN105845771A
专利类型发明专利
公开/公告日2016-08-10
原文格式PDF
申请/专利权人 上海大学;
申请/专利号CN201610277282.9
申请日2016-05-01
分类号H01L31/09(20060101);H01L31/18(20060101);C23C14/08(20060101);C23C14/35(20060101);C23C14/24(20060101);C23C14/28(20060101);C23C20/08(20060101);
代理机构31205 上海上大专利事务所(普通合伙);
代理人陆聪明
地址 200444 上海市宝山区上大路99号
入库时间 2023-06-19 00:15:09
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-01-09
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L31/09 申请公布日:20160810 申请日:20160501
发明专利申请公布后的视为撤回
2016-09-07
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/09 申请日:20160501
实质审查的生效
2016-08-10
公开
公开
机译: 具有无凸纹,凸纹或双凸纹图案的三层薄膜的制备方法,由此制备的三层薄膜以及由其组成的高性能三层纳米电容器
机译: 用于生长InAlGaN基薄膜的AlOxNy缓冲层的形成方法以提高InAlGaN基薄膜的质量
机译: 基于缓冲层表面能控制的基于有机半导体薄膜表面粗糙度最大化的高性能传感器