机译:具有多结太阳能电池纳米腔的掩埋模板的Si(001)上的低缺陷变质Si(Ge)外延层
Implantation; He+; Nano-bubbles; Ge(Si); LPCVD; Strain relaxation;
机译:具有多结太阳能电池纳米腔的掩埋模板的Si(001)上的低缺陷变质Si(Ge)外延层
机译:温度加速寿命试验和直立变质GA的故障分析 0.37 sub> 0.37 在 0.63 sub> 0.63 P / GA. 0.83 sub> 0.83 在 0.17 sub> 0.17 AS / GE三界太阳能电池
机译:使用异丁基酯,通过MOCVD直接在Si(001)上生长的外延GE太阳能电池
机译:原位监测GE(100)富型CVD电抗器的GE(100)表面对低缺陷III-V多结太阳能电池的影响
机译:超高效倒置变质III-V多结太阳能电池的设计,建模和仿真。
机译:生物模板与中性束刻蚀相结合制造的三维硅量子点超晶格中高光电流的产生
机译:太阳能电池的埋孔硅模板上生长的硅外延层:详细的电气和化学理解