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机译:1-Ωcm掺硼Cz硅的寿命超过1 ms
Silicon; Boron-oxygen defect; Carrier lifetime; Permanent recovery; Rapid thermal annealing (RTA);
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机译:具有跨导超过250 mS / mm的1- $ muhbox {m} $增强模式GaAs N沟道MOSFET
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机译:高高电阻率P型无K多晶硅晶片的有效寿命超过1毫秒
机译:一种确定物种浓度的定量技术,可以确定超过激光自由时间范围的寿命。
机译:UHPLC-QQQ-MS / MS测定用于定量促蒽醌的潜在有毒标志物如多脂素Thunb的潜在毒性标记:中药标准化的应用(TCMS)具有内源性毒性
机译:n型非接触式坩埚硅的少数载流子寿命超过3 ms
机译:预测武器生命的新方法。第1部分 - 超敏感性氧消耗量测量预测EpDm O形圈的使用寿命