Erratum to: 'Electronic States on Silicon Surface after Deposition and Annealing of SiO_x Films' (Semiconductors, (2011), 45, (587))

Vlasenko N.A.; Oleksenko P.F.; Denisova Z.L.; Sopinskii N.V.; Veligura L.I.; Gule E.G.; Litvin O.S.; Mukhlyo M.A.

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Erratum to: 'Electronic States on Silicon Surface after Deposition and Annealing of SiO_x Films' (Semiconductors, (2011), 45, (587))

机译：勘误至：“ SiO_x膜沉积和退火后，硅表面上的电子态”（半导体，（2011），45，（587））

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《Semiconductors》 |2011年第6期|共1页
作者
Vlasenko N.A.; Oleksenko P.F.; Denisova Z.L.; Sopinskii N.V.; Veligura L.I.; Gule E.G.; Litvin O.S.; Mukhlyo M.A.;
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正文语种 eng
中图分类半导体物理学;
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机译：勘误至：“ SiO_x膜沉积和退火后，硅表面上的电子态”（半导体，（2011），45，（587））
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