ウェハレベルチップサイズパッケージ(W-CSP)におけるインダクタ内蔵技術の開発

摘要

携帯機器の小型化·高機能化が進み，さらにコンテンツの容量も増加している。 この市場ニーズに応えるための実装技術からのアプローチとして，1つのパッケージに複数の受動部品，LSIチップを搭載するシステムインパッケージ(SiP)が注目されている。 なかでも，高周波機器用途には，ウェハレベルチップサイズパッケージ（以下W－CSP と略す）にインダクタを内蔵した超小型かつ高機能のLSI パッケージの開発が必要になる。 高周波機器用途のインダクタをLSI内のアルミニウム配線やモジュール基板上のチップ部品で形成する場合，アルミニウム配線ではQ値は通常10以下であり，高Q値の確保が難しい。 また，チッブ部品点数の増加により小型化が難しいことなどの問題がある。 今回，W－CSP再配線の微細化により，小型·高性能のインダクタ形成を実現し，その高周波特性を検証した。