ハーフインチサイズのマルチチップパッケージにおけるチップ間レーザビア接続

摘要

今後重要になってくると考えられるIoT デバイスは、本質的に多目的で多品種であるため、少量多品種生産が必要であって、超小型半導体生産システムであるミニマルファブでの開発と生産が適していると考えられる。これらは、センサーだけでなく、アンプや演算回路などを含hだ複合デバイスユニットであるから、ミニマルファブにおいても、そのような複合デバイスを開発製造できる仕組みを作ることが求められる。実際、前工程から後工程・パッケージング工程の半導体生産システムであるミニマルファブIoT 製造プラットフォームの開発が進められている[1]。これまで、ハーフインチウェハ上に形成した電極パッド(Cu/Ti)とモールド樹脂上のCu 再配線(Redistribution Layer: RDL)をレーザビアで接続し、低抵抗かつ高歩留りのビア接続が達成されている[2]。これによって、チップ間を再配線し、一つのパッケージにする技術は開発されたと言える。実際に、複合デバイスを構築するには、これらに加えて、複数チップを一つの基板に精度良く配置して固定する、マルチチップダイボンディング技術(MCB)が必要となる。我々は、MCB を実際に開発し[2]、そのプロトタイプの動作に成功した。今回は、実際にパーニングされたいくつかのシリコンウェハを、MCB を使って基板にボンディングし 、その上で、上記RDL を作成して、これらをモールディングしてBGA パッケージとした。このパッケージについて、電気的導通試験を行った。本報告では、MCB 装置概要、RDL とパッケージング工程、そして電気的特性について報告する。