机译:蒙特卡罗计算14 MeV中子引起的单事件扰动的横截面
SEU cross-section; Monte Carlo simulation; single event effect; GENERATION; PROTONS; RAMS;
机译:蒙特卡罗计算14 MeV中子引起的单事件扰动的横截面
机译:静态随机存取存储器中快速中子诱发的单事件扰动的评估和蒙特卡罗N粒子代码(MCNPX)的仿真
机译:使用Cf-252中子,2.8 MeV中子和14 MeV中子的PGNAA系统性能的蒙特卡洛比较
机译:SRAM和FPGA中的几个MeV中子引起的单事件翻转
机译:Monte Carlo方法,用于预测SRAM脆弱性对μON和电子诱导的单一事件UPSETS
机译:蒙特卡洛计算能量范围为50–400 MeV的质子的EBT3和EBT-XD薄膜的质量阻止能力
机译:由质子诱导的rams的单一事件upsets在4.2 gev和质子和中子低于100 mev的质子和中子
机译:蒙特卡罗和离散坐标计算14-meV中子流经不锈钢管(L / D = 4.6):与实验比较