机译:静态随机存取存储器中快速中子诱发的单事件扰动的评估和蒙特卡罗N粒子代码(MCNPX)的仿真
Research Center for Materials Science at Extreme Conditions and Graduate School of Engineering Science, Osaka University, 1-3 Machikaneyama, Toyonaka, Osaka 560-8531, Japan;
SRAM; single-event upset; fast neutron; alpha particle; simulation; MCNPX;
机译:弹性散射对静态随机存取存储器中中子诱发的单事件扰动的影响
机译:由于散裂,反应堆和单能中子,静态随机存取存储设备上的单事件崩溃
机译:重离子诱导的3D集成静态随机存取存储器的单事件翻转灵敏度评估
机译:使用蒙特卡罗模拟识别静态随机访问存储器中脉冲中子诱发的突发爆发
机译:静态随机存取存储器中多个细胞不适的模式识别:实验测试结果与单事件不适机制的相关性。
机译:基于中子的炭疽菌灭菌的蒙特卡罗N粒子模拟
机译:质子诱导单事件镦粗横截面预测0.15μm六晶体管(6T)硅式绝缘体静态随机接入存储器
机译:用于256k静态Ram(随机存取存储器)的sEU(单事件翻转)测试技术以及重离子和质子引起的扰乱的比较