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【2h】

Proton induced single event upset cross section prediction for 0.15 μm six-transistor (6T) silicon-on-insulator static random access memories

机译：质子诱导单事件镦粗横截面预测0.15μm六晶体管（6T）硅式绝缘体静态随机接入存储器

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Lei Li; Wanting Zhou; Huihua Liu;
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年度 2012
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