机译:低于10 nm的平面电极的制造及其在基于分子的晶体管中的用途
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机译:通过天然氧化物刻蚀和阳极晶圆键合制备亚10纳米平面纳米流通道
机译:负聚(甲基丙烯酸甲酯)的控制,用于制作由小于10 nm的间隙隔开的平面电极
机译:10 NM Bulk-Planar Sonos型存储器,具有双隧道结和Sub-10 NM缩放利用源漏极直接隧道子阈值
机译:超高密度低于10 nm的钴纳米线阵列:模拟,制造和表征。
机译:适用于5 µm以下荫罩和10 µm以下交叉指状电极(IDE)制造中的材料的低功率多模态激光微加工
机译:用于子10 nm图案转移的聚(苯乙烯) - 苯甲酰孔膜:用于晶体管制造的影响
机译:具有聚吡咯的三个金微电极阵列的化学衍生化:基于分子的晶体管的制造