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一种尺寸在10nm以下的电极间隙的制备方法及其产品和用途

摘要

本发明提供一种尺寸在10nm以下的电极间隙的制备方法和用途。所述电极的制备方法包括以下步骤:(1)将电子束抗蚀剂旋涂于衬底后烘烤,形成电子束抗蚀剂层;设计对顶结构的交叠型图形作为掩模图形;(2)按步骤(1)设计好的掩模图形利用电子束对旋涂电子束抗蚀剂层的衬底进行曝光,并经过显影、定影、蒸镀电极,得到尺寸在10nm以下的电极间隙。所述制备方法通过欠曝光来抵消邻近效应的影响,实现尺寸在10nm以下的电极间隙的加工和制备。

著录项

  • 公开/公告号CN112086345A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-12-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 国家纳米科学中心;

    申请/专利号CN202011099220.6

  • 发明设计人 郭北斗;宫建茹;

    申请日2020-10-14

  • 分类号H01L21/027(20060101);H01L21/28(20060101);G03F1/36(20120101);G03F7/20(20060101);B82Y40/00(20110101);

  • 代理机构11332 北京品源专利代理有限公司;

  • 代理人巩克栋

  • 地址 100190 北京市海淀区中关村北一条11号

  • 入库时间 2023-06-19 09:12:09

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