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机译:6纳米半间距线和0.04微米(2)静态随机访问存储模式的纳米压印光刻
ELECTRON-BEAM LITHOGRAPHY; IMPRINT LITHOGRAPHY; RESOLUTION; FABRICATION; SYSTEM;
机译:6纳米半间距线和0.04微米(2)静态随机访问存储模式的纳米压印光刻
机译:结合氦离子束和纳米压印光刻技术,可实现4 nm半间距密集图案
机译:具有多头压印单元的UV-纳米压印光刻设备,可用于50nm以下的半间距图案
机译:具有多头纳米压印单元的UV-NanoImprint光刻,用于子50nm半间距图案
机译:静态随机存取存储器中多个细胞不适的模式识别:实验测试结果与单事件不适机制的相关性。
机译:通过软紫外-纳米压印光刻技术对图案化的Al薄膜进行退火处理大规模制造纳米图案化的蓝宝石衬底
机译:组合的氦离子束和纳米压印光刻获得4nm半间距密集图案
机译:随机存取存储器的特性:Ram存储器表征中的策略,测试模式和参数以及对8个制造商的16 K Ram的评估