机译:具有多头压印单元的UV-纳米压印光刻设备,可用于50nm以下的半间距图案
Korea Institute of Machinery and Materials, 171 Jang-dong, Yusung-ku, DaeJeon 305-600, Republic of Korea;
nanoimprinting; multi-head unit; overlay and alignment; compliant mechanism; nanoimprinting lithography;
机译:基于UV的纳米压印光刻技术在低于50 nm半间距的多位纵横制电路的制作
机译:用于光掩模和纳米压印模具的电子束光刻中曝光图案宽度与16nm半间距线间距图形的化学梯度之间的关系的理论研究
机译:通过酸扩散常数和/或可光分解的淬灭剂浓度,在使用极紫外光刻技术制造11 nm半间距线间距图形中,进行抗蚀剂图像质量控制
机译:具有多头纳米压印单元的UV-NanoImprint光刻,用于子50nm半间距图案
机译:分步和快速压印光刻:用于超高密度磁性数据存储设备的图案化介质的制造。
机译:通过软紫外-纳米压印光刻技术对图案化的Al薄膜进行退火处理大规模制造纳米图案化的蓝宝石衬底
机译:通过使用基于UV的纳米压印光刻在Sub-50nm半间距下的多比特交叉杆电路的制造