机译:在氮化硝化镓作为缓冲层的平面和柱状Si衬底上的纳米柱InGaN / GaN量子阱晶体
机译:在氮化硝化镓作为缓冲层的平面和柱状Si衬底上的纳米柱InGaN / GaN量子阱晶体
机译:在氮化硝化镓作为缓冲层的平面和柱状Si衬底上的纳米柱InGaN / GaN量子阱晶体
机译:以InN为中间层的带柱硅衬底上的InGaN / GaN量子阱纳米柱晶体
机译:在硅衬底上形成硝化铪氧化物缓冲层,GaN-Si杂交光学MEMS的GaN量子阱晶体生长
机译:通过异质外延GaN薄膜中的缓冲层控制应力和缺陷
机译:等温GaN覆盖层对硅衬底上绿色发光二极管的InGaN / GaN多量子阱的影响
机译:高级缓冲层对(111)硅衬底上生长的InGaN / GaN mQW光学性质的影响