机译:MOCVD生长的GaN / AlGaN MQW纳米结构的光致发光研究:Al组成和Si掺杂的影响
MULTIPLE-QUANTUM WELLS; TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE; III-V NITRIDES; SPONTANEOUS POLARIZATION; HETERO; FIELDS;
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机译:阻隔组合物对GaN / AlGaN多量子孔光学性质影响的实验与理论分析:温度和压力依赖性光致发光研究
机译:成分和无意掺杂对AlGaN / GaN异质结构中二维电子气密度的影响
机译:硅掺杂对MOCVD生长的InGaN / GaN多量子阱的载流子局部化的影响
机译:微金属应用中通过金属有机气相外延生长在6H-SiC(0001)衬底上的GaN和AlGaN的生长,掺杂和表征。
机译:在6英寸N掺杂的低电阻率SiC基板上的常压P-GaN栅极AlGaN / GaN Hemts的高热耗散
机译:Si掺杂对MOCVD生长的InGaN / GaN多量子阱的载流子定域的影响
机译:mOCVD在sI 4H-siC上生长的调制掺杂alxGa1-xN / GaN结构中二维电子气的光致发光研究