机译:PMMA抗蚀剂的gan螺纹位错附近的阴极发光发射的三维电子能量沉积模型和电子束光刻曝光参数
cathodoluminescence (CL); electron-beam lithography; energy deposition; Monte Carlo simulations; resist; threading dislocation; three-dimensional (3D);
机译:PMMA抗蚀剂的gan螺纹位错附近的阴极发光发射的三维电子能量沉积模型和电子束光刻曝光参数
机译:阴光发光和电子束诱导电流映射在GaN(0001)中的脱位对比
机译:使用紫外线可固化正性电子束光刻胶,通过紫外-纳米压印光刻和电子束光刻进行微通道制造
机译:使用矢量扫描高斯电子束光刻系统曝光895i抗蚀剂
机译:能量沉积对电子束光刻中图案分辨率的影响。
机译:海藻糖糖醇抗性可通过电子束光刻直接写入蛋白质图案
机译:阴极发光和电子束诱导的位错对比 GaN(0001)上的电流图