机译:GaN MESFET的依赖于寄生元素的散射参数评估
GaN MESFET; Scattering parameters; Unilateral power gain; Maximum transducer power gain;
机译:GaN MESFET的依赖于寄生元素的散射参数评估
机译:使用有限元热模拟对具有不同层大小和结构参数的GaN基HEMT进行热评估
机译:伪高电子迁移率晶体管的散射参数,增益和反馈电容相关噪声性能的评估
机译:基于对MESFET和HEMT的偏置相关S参数数据进行矢量分析的大信号建模假设的实验评估
机译:两个核子散射矩阵元素的时间相关通道包计算。
机译:使用钙黄绿素荧光和改良的Rayleigh-Gans-Debye-Mie散射对剪切流中脂质体的线性二向色光谱进行光散射校正
机译:精确评估高达毫米波频率的微波MESFET的寄生条件的偏置条件
机译:基于物理的GaN mEsFET频率扩散模型