机译:GaN MESFET中阱的光电离中的光效应
with;
Department;
of;
Physics,;
Ferdowsi;
University;
of;
Mashhad,;
P.O.;
Box;
91775-1436,;
Mashhad,;
Iran;
with;
Payame-Noor;
University;
of;
Fariman,;
Fariman,;
Iran.;
MESFET器件; 陷阱效应; 氮化镓; 光电离; 模拟装置; 低温设备; 蒙特卡罗; 电荷分布;