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机译:新型轻掺杂漏极和源极异质材料栅极CNTFET的高频和开关性能研究
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机译:双线性晕环轻掺杂漏极和源极CNTFET的截止频率研究
机译:基于不对称轻掺杂源漏区的常规CNTFET性能优化
机译:栅极重叠轻掺杂漏极多晶硅薄膜晶体管,采用45°倾斜注入进行源极和漏极注入
机译:低电阻率的锗硅化物接触层形成了用于纳米级CMOS的磷掺杂的硅锗合金源/漏结。
机译:凸源/漏极(RSD)和垂直掺杂漏极(LDD)多Si薄膜晶体管
机译:双线性晕环轻掺杂漏极和源极CNTFET的截止频率研究
机译:用于VLsI(超大规模集成)mOsFET的改进的轻掺杂漏极结构