机译:退火温度对射频反应磁控溅射制备锶氧化铜性能的影响方法。
transparent conductive oxide; thin film; electrical property; p-type semi-conductor; annealing temperature;
机译:退火温度对射频反应磁控溅射制备锶氧化铜性能的影响方法。
机译:ZnO层和退火温度对射频磁控溅射制备的SiGe薄膜的结构,光学和膜-基底粘结性能的影响
机译:通过射频磁控溅射技术制备氧化铜氧化锡复合薄膜的室温氨气传感特性
机译:高压水蒸气退火对射频磁控溅射制备的纳米结构ZnO / ZnMgO多层薄膜的光致发光和结构性能的影响
机译:自蔓延化学分解法制备含氧化锆或氧化镁的氧化钇钡铜氧化物和铋锶钙铜氧化物超导体的合成及磁性
机译:热退火对通过射频磁控溅射获得的锆掺杂MgXZN1-XO膜性能的影响
机译:用射频反应磁控溅射用不同氧偏压制备锶氧化铜膜的性质
机译:反应直流磁控溅射合成混合价铼氧化物薄膜的光化学性质。