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机译:通过10-30 keV电子轰击i的K和L_αX射线产生截面的K壳电离截面
机译:通过10-30 keV电子轰击i的K和L_αX射线产生截面的K壳电离截面
机译:Cl和L_α的K壳电离截面,Ba的L_β的X射线产生截面通过6-30 keV电子轰击
机译:1.5-39-keV电子对Ga和As的绝对K壳电离截面和L alpha和L beta(1)X射线产生截面
机译:用1keV正电子和电子撞击电离氩电离的差分横截面
机译:含有H,B,C,N,O,F,Si,P,S和CL的分子的总电子散射横截面在0.1-6.0 keV中
机译:在强束缚K壳电子的情况下理论和实验康普顿散射截面在1.12 MeV
机译:通过电子碰撞测量Ge的绝对K壳电离截面和L壳X射线产生截面