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机译:1.5-39-keV电子对Ga和As的绝对K壳电离截面和L alpha和L beta(1)X射线产生截面
MONTE-CARLO-SIMULATION; EMISSION RATES; FLUORESCENCE YIELDS; POSITRON-IMPACT; FOCK VALUES; ATOMS; ELEMENTS; BORN;
机译:1.5-39-keV电子对Ga和As的绝对K壳电离截面和L alpha和L beta(1)X射线产生截面
机译:用中能电子碰撞法测量Se的Al和L壳x射线产生截面的K壳电离截面
机译:通过10-30 keV电子轰击i的K和L_αX射线产生截面的K壳电离截面
机译:Z = 25至30元的元素诱导2-5 meVα的经验k-壳生产横截面
机译:在质能= 1.96 TeV的质子-反质子碰撞中,衰减到电子-正电子射流产生截面的Z /γ玻色子的测量。
机译:在强束缚K壳电子的情况下理论和实验康普顿散射截面在1.12 MeV
机译:通过电子碰撞测量Ge的绝对K壳电离截面和L壳X射线产生截面