首页> 外文期刊>Microelectronics and reliability >Comparison of deposition models for a TEOS LPCVD process
【24h】

Comparison of deposition models for a TEOS LPCVD process

机译:TEOS LPCVD工艺沉积模型的比较

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
获取外文期刊封面目录资料

摘要

We present a comparison of models describing the pyrolytic deposition of SiO_2 with a low pressure chemical vapor deposition process. In order to meet industrial simulation requirements, e.g. accuracy and fast delivery of results, we present an overview of established and new models, their use within TCAD applications, and their best results which have been obtained by calibrations according to SEM measurements.
机译:我们比较了描述SiO_2热解沉积与低压化学气相沉积过程的模型。为了满足工业仿真要求,例如准确性和快速交付结果,我们概述了已建立的模型和新模型,它们在TCAD应用中的使用,以及根据SEM测量通过校准获得的最佳结果。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号