机译:Ni / Cu / n-InP肖特基势垒二极管的温度相关电流电压(I-V)和电容电压(C-V)特性
Barrier inhomogeneities; Gaussian distribution; Ideality factor; Ni/Cu-InP Schottky diode;
机译:Ni / Cu / n-InP肖特基势垒二极管的温度相关电流电压(I-V)和电容电压(C-V)特性
机译:使用电流-电压(I-V)和电容-电压(C-V)测量结果比较Al / p-Si(MS)和Al / C20H12 / p-Si(MPS)型二极管的电特性
机译:具有PVA(Ni,Zn掺杂)界面层的Au / n-Si(1 1 1)肖特基势垒二极管的温度相关电流-电压(I-V)特性
机译:在沿Zn和O面生长的ZnO上制造的Pd肖特基二极管的电流电压和电容电压特性
机译:通过电流-电压,电容-电压和内部光发射法测量的四个氢和六个氢碳化硅的(0001),(0001bar),(11bar00)和(12bar10)晶面的肖特基势垒。
机译:基于P型伪垂直金刚石肖特基势垒二极管正向电流-电压特性的迁移模型
机译:AU / PPY / N-Si(MPS)型肖特基势垒二极管(SBD)温度依赖性反向偏置电容 - 电压(C-V)特性的研究在100 kHz和500 kHz
机译:重掺杂对肖特基势垒和p-N结的I-V特性的影响。