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机译:使用电流-电压(I-V)和电容-电压(C-V)测量结果比较Al / p-Si(MS)和Al / C20H12 / p-Si(MPS)型二极管的电特性
Electrical characterization; I-V and C-V measurements; A compare of MS and MPS type SBDs; Energy and voltage dependence of N-ss; Series and shunt resistances;
机译:使用电流-电压(I-V)和电容-电压(C-V)测量结果比较Al / p-Si(MS)和Al / C20H12 / p-Si(MPS)型二极管的电特性
机译:使用电流 - 电压(Ⅰ-Ⅵ)测量的Al / P-Si二极管的电气特性(PVP:SN-TE_2)中间层
机译:通过电流-电压和电容-电压方法对Al / MEH-PPV / p-Si肖特基二极管进行电学表征
机译:电流电压和阻抗测量的石墨烯/ SiO_2 / P-Si肖特基二极管分析
机译:使用渐近方法,利用靠近硅/二氧化硅界面的薄氧化物,利用量子力学效应对MOSFET器件的电流-电压(I-V)特性进行建模。
机译:频率和栅极电压对Al ∕ SiO2 ∕ p-Si金属-绝缘体-半导体肖特基二极管的介电性能和电导率的影响
机译:充电引起的al / al-al 2 O 3 / p-si二极管的反向电流 - 电压特性的变化