机译:使用自能量校正的局部密度近似值计算AlAs / GaAs界面能带结构的第一性原理
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机译:(001)SrHfO_3 / GaAs接口上的接口间距,稳定性,能带偏移和电子特性:第一性原理计算
机译:使用局部密度近似计算每单位细胞的总能量和五个核苷酸碱基堆栈的能带结构
机译:通过扫描隧道显微镜观察GaAs / AlAs异质结构上的界面带弯曲
机译:使用门控霍尔法提取InGaAs金属氧化物半导体结构中的载流子迁移率和界面陷阱密度。
机译:GaAs / AlAs超晶格中点缺陷的第一性原理研究:相稳定性及其对能带结构和载流子迁移率的影响
机译:GaAs / ALAS超晶格中点缺陷的第一原理研究:相位稳定性和对带结构和载波移动性的影响
机译:用apW-K向量p向量法计算Gaas和alas的混合键合带结构