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王恩哥; 章立源; 王怀玉;
北京大学物理系;
AlAs/GaAs; 超晶格; 表面; 电子结构;
机译:短周期GaAs / AlAs超晶格中的表面和界面
机译:短周期超晶格中的电子表面态:(GaAs)(2)/(AlAS)(2)(100)-c(4x4)
机译:GaAs衬底中EL2的光猝灭对GaAs / AlAs短周期超晶格很好约束的GaAs单量子的压电光热和表面光电压谱的影响
机译:通过时间分辨光致发光识别短周期GaAs / AlAs超晶格中的电子-空穴跃迁
机译:InAs / GaAs短周期应变层超晶格的分子束外延生长。
机译:基于密度泛函理论计算的短周期(GaAs)m(AlAs)n(mn≤10)超晶格的电子结构和物理性质的高通量研究
机译:高压下光致发光光谱研究的GaAs / Alas短周期超晶格的电子结构。
机译:短周期(Gaas)n /(alas)n(001)超晶格的多频带耦合和电子结构。
机译:具有本征AlAs / GaAs超晶格隔离层区域的高电子迁移率器件
机译:在InAs衬底上生长的中红外激光结构的选择性Si掺杂InAs / AlAsSb短周期超晶格作为N型覆盖层
机译:使用Si和Ge的具有短周期超晶格结构的场效应器件
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