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三元GaAS/ALAS准周期超晶格系统的电子隧穿透射谱

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用紧束缚的方法研究了一种多层低维半导体系统--三元准周期超晶格系统的电子隧穿.结果表明:大代数的情况下,电子出现共振隧穿透射的能量区域则集中在某一小的能量范围内,而杂质的存在对系统的电子透射率谱有明显的影响.

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来源
《广东工业大学学报》|2002年第3期|14-17|共4页
作者
姚源卫; 蔡敏; 屈晔;
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作者单位

广东工业大学,应用物理系,广东,广州,510090;

华南理工大学,应用物理系,广东,广州,510640;

华南理工大学,应用物理系,广东,广州,510640;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类晶体化学的规律性;
关键词
准周期超晶格; 紧束缚; 杂质; 透射率;

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