机译:短周期超晶格中的电子表面态:(GaAs)(2)/(AlAS)(2)(100)-c(4x4)
Acad Sci Czech Republ, Inst Phys, Prague 16253, Czech Republic;
Chalmers Univ Technol, Dept Expt Phys, SE-41296 Gothenburg, Sweden;
Univ Kiel, Inst Theoret Phys, D-24098 Kiel, Germany;
molecular beam epitaxy; synchrotron radiation; photoelectron spectroscopy; semiconductor superlattices; surface states; gallium arsenide;
机译:GaAs衬底中EL2的光猝灭对GaAs / AlAs短周期超晶格很好约束的GaAs单量子的压电光热和表面光电压谱的影响
机译:短周期GaAs / AlAs超晶格中的表面和界面
机译:(GaAs)_m(AlAs)_n(001)超晶格中的电子-声子相互作用
机译:(ALAS)N(GaAs)M短周期超晶格的高分辨率电子显微镜分析在<110>和<100>投影中
机译:InAs / GaAs短周期应变层超晶格的分子束外延生长。
机译:基于密度泛函理论计算的短周期(GaAs)m(AlAs)n(mn≤10)超晶格的电子结构和物理性质的高通量研究
机译:运输散射时间和量子寿命对调制掺杂单个GaAs量子井中的二维电子气密度与ALAS / GaAs短期超晶格屏障
机译:I型超晶格的电子结构:alas / Gaas(100),Ge / Gaas(100)