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王小军; 金星; 张子平; 郑联喜; 肖智博; 胡雄伟; 王启明;
中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心;
中国科学院北京电子显微镜实验室;
超晶格; 砷化镓; 铟镓砷; 界面特性; 半导体;
机译:具有分子束外延生长的(411)A超平坦界面的拟晶InGaAs / AlGaAs量子阱中的界面突变性得到改善
机译:在GaAs衬底上生长的InGaAs / GaAs超晶格和InGaAs / AlAs超晶格中的杂质回旋共振
机译:P + GaAs / N + Ingaas和P + Ingaas / N + Ingaas的晶片键合界面的电气分析
机译:InGaAsP / InP和InGaAsP / sub 1 // InGaAsP / sub 2 /超晶格的界面和材料质量研究
机译:减少GaAs和InGaAs有源区中的侧壁界面复合
机译:检测自组织InAs / InGaAs量子点超晶格中的空间局部激子:一种提高光伏效率的方法
机译:假晶InGaas / alGaas(Gaas上)和InGaas / Inalas(Inp)modfet结构的电子特性
机译:假晶InGaas / alGaas(ON Gaas)和InGaas / Inalas(Inp)mODFET结构的电子特性
机译:在高应变InGaAs,InGaAsN,InGaAsNSb和/或GaAsNSb量子阱的生产中作为表面活性剂的原子氢
机译:InGaAsP或InGaAs半导体激光元件,其中有源层的近边缘部分被带隙比有源层大的GaAs光波导层代替
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