新型二维SiSe的能带结构与塞贝克系数的第一性原理计算

摘要

cqvip:能够把热能直接转化成电能的热电材料近几年被广泛研究,我们采用第一性原理计算和玻耳兹曼输运理论研究了一种新型二维Si Se单层在300 K、400 K、500 K三种温度下的塞贝克系数。计算结果表明,当载流子浓度约为10~6cm~(-2)时,n型SiSe单层的塞贝克系数在500 K下可达1490μV K-1,p型Si Se单层的塞贝克系数可达1576μVK-1,这说明SiSe可能是一种有潜力的热电材料。