Die "Smart IGBT"-Technologie von STMicroelectronics kombiniert einen vertikalen IGBT mit einem NMOS-Treiber sowie Polysilizium-Dioden und -Widerstanden. Damit lassen sich Funktionen wie z.B. Strombegrenzung, Spannungsklemmung sowie Schutz vor Uberhitzung und Schaden durch elektrostatische Entladungen in den Leistungstransistor implementieren. Das Grundkonzept dieser Technologie - die Herstellung des Leistungstransistors und der Steuerungsfunktionen mit ein und demselben Prozess - bietet sich fur zahlreiche Leistungs-Halbleiterbauelemente an.
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