Epitaxial Growth of Fe Films on n-Type GaAs by Electrodeposition

Y.-K. Liu; C. Scheck; R. Schad

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【24h】

Epitaxial Growth of Fe Films on n-Type GaAs by Electrodeposition

机译：电沉积在n型GaAs上外延生长Fe膜

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We report epitaxial growth of Fe thin films on both n-type GaAs(001) and GaAs (011) substrates using electrochemical deposition. The structural quality depends on the composition of the plating solution. The magnetic properties are characterized by fourfold crystalline anisotropy for the Fe(001) film while for the Fe(011) layers we observe a uniaxial anisotropy induced by the substrate asymmetry. The in-plane coercivity is around 30-100 Oe.

机译：我们报告了使用电化学沉积法在n型GaAs（001）和GaAs（011）衬底上的Fe薄膜的外延生长。结构质量取决于镀液的组成。磁性是Fe（001）膜的四倍各向异性，而Fe（011）层则是由衬底不对称性引起的单轴各向异性。面内矫顽力约为30-100 Oe。

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来源
《Electrochemical and solid-state letters》 |2004年第9期|共3页
作者
Y.-K. Liu; C. Scheck; R. Schad;
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作者单位

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原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类电化学工业;
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