Epitaxial film growing wafer, epitaxial film growth method, removal method, and epitaxial wafer manufacturing method

摘要

【課題】エピタキシャル膜成長におけるエピタキシャル膜成長用ウエハの成膜対象面とは反対側の面に付着し得るエピタキシャル膜と同じ組成の膜を容易に除去することができる、エピタキシャル膜成長用ウエハ、エピタキシャル膜成長方法、除去方法、エピタキシャルウエハの製造方法を提供する。【解決手段】成膜対象面を有する単結晶ウエハと、前記成膜対象面とは反対側の面に形成された、厚さが１μｍ～５μｍの第１炭素膜と、を備える。【選択図】図１