机译:浆液粒度和浓度对CMP去除速率依赖性的新解释
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机译:化学机械抛光(CMP)浆料的分散体稳定性与表面活性剂浓度和磨料粒径的关系
机译:操作因素对合成沉淀CaCO_3粒径分布和形状的影响:反应温度,CO_2吹入速率和Ca(OH)_2初始浆料浓度对反应完成时间的影响
机译:氧化铈和二氧化硅基浆料对氧化物和氮化物CMP的材料去除机理-介电CMP前后浆料的颗粒分析
机译:CMP过程中的磨料颗粒轨迹和材料去除不均匀性以及CMP浆料的过滤特性-模拟和实验研究。
机译:细胞中过氧化氢的去除速率显示出对GSH的依赖性:对体内H2O2和GPx浓度的数学认识
机译:铜CMP浆料中保证分散稳定性的去除率优化