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Dielectric function of vanadium oxide thin films by thermal annealing

机译:氧化钒薄膜通过热退火介质函数

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摘要

The dielectric function of VOx and V2O5 thin films is determined with the use of a spectroscopic Mueller matrix ellipsometer from 1.5 to 5.0 eV. The complex dielectric function of the films is calculated using the measured Mueller matrices filtered with the Cloude decomposition. VOx shows high absorption in the UV region, a Tauc-Lorentz gap around 2.4 eV, and non-vanishing absorption in the visible. V2O5 shows a high absorption band centered at 2.87 eV, an indirect optical band gap at 1.95 eV, and a direct optical band gap at 2.33 eV. The ellipsometric characterization is supported by Raman, x-ray photoelectron, and photoluminescence spectroscopy. (C) 2021 Optical Society of America
机译:用穆勒矩阵椭偏仪在1.5~5.0ev范围内测定了VOx和V2O5薄膜的介电函数。薄膜的复介电函数是用测得的穆勒矩阵通过云分解滤波计算出来的。VOx在紫外区域表现出高吸收,约2.4eV的Tauc-Lorentz能隙,在可见光区域表现出非消失吸收。V2O5的中心吸收带为2.87 eV,间接光学带隙为1.95 eV,直接光学带隙为2.33 eV。拉曼光谱、x射线光电子光谱和光致发光光谱支持椭圆偏振特性。(2021)美国光学学会

著录项

  • 来源
    《Applied optics》 |2021年第15期|共8页
  • 作者单位

    Univ Barcelona IN2UB Marti &

    Franques 1 Barcelona 08028 Catalunya Spain;

    Univ Barcelona IN2UB Marti &

    Franques 1 Barcelona 08028 Catalunya Spain;

    Univ Barcelona IN2UB Marti &

    Franques 1 Barcelona 08028 Catalunya Spain;

    Univ Barcelona IN2UB Marti &

    Franques 1 Barcelona 08028 Catalunya Spain;

    Univ Lorraine CNRS IJL F-54000 Nancy France;

    Univ Lorraine CNRS IJL F-54000 Nancy France;

    Univ Barcelona IN2UB Marti &

    Franques 1 Barcelona 08028 Catalunya Spain;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 应用;
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