Sputtering voltage in the growth of vanadium oxide thin films

摘要

在直流反应磁控溅射中，参与溅射的反应气体流量对所沉积的薄膜特性有重要影响，而采用的金属靶材不可预控的表面初始氧化态对反应溅射过程同样有深刻影响。由于氧化钒多价态多晶型结构的特点，这些问题在氧化钒薄膜反应磁控溅射沉积时尤为突出。论文详细研究了氧化钒薄膜反应磁控溅射中，金属钒靶在纯Ar环境中预溅和在随后的Ar/O2混合环境中反应溅射时溅射电压的变化。