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机译:半极性(11-22)GaN的磨料自由化学机械平面化:对结构和表面性质的影响和随后的同性恋生长
Univ Hyderabad Sch Engn Sci &
Technol Hyderabad 500046 Andhra Prades India;
Tata Inst Fundamental Res Dept Condensed Matter Phys Mumbai 400005 Maharashtra India;
Tata Inst Fundamental Res Dept Condensed Matter Phys Mumbai 400005 Maharashtra India;
Univ Hyderabad Sch Engn Sci &
Technol Hyderabad 500046 Andhra Prades India;
机译:半极性(11-22)GaN的磨料自由化学机械平面化:对结构和表面性质的影响和随后的同性恋生长
机译:抛光参数对半极性(1122)氮化铝表面无磨料化学机械平面化的影响
机译:用于后续GaN同质外延的化学机械抛光法对蓝宝石上的GaN模板进行表面平坦化
机译:半极性(11-22)GaN的生长和表征与原位SIN {sub} x中间层
机译:使用气相二氧化硅磨料对铜/钽薄膜进行化学机械平面化的机理。
机译:使用双AlN缓冲层在m面蓝宝石上生长的半极性(11-22)GaN的各向异性结构和光学性质
机译:无磨铜化学机械平面化工艺的建模与表征
机译:化学机械抛光在表面微加工设备平面化中的应用